固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，以支持高频功率控制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，支持隔离以保护系统运行，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

以创建定制的 SSR。并为负载提供直流电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要散热和足够的气流。